隨著新能源汽車的發(fā)展，汽車半導(dǎo)體需求激增，具備突破性的第三代半導(dǎo)體材料碳化硅成了眾多車廠又愛又恨的對象，產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)跑馬圈地的擴(kuò)張態(tài)勢，競爭日趨激烈，國產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)商業(yè)化也持續(xù)推進(jìn)。

近期，國產(chǎn)碳化硅進(jìn)擊8英寸工藝節(jié)點(diǎn)，似乎有望突破成本障礙，打開國產(chǎn)替代的空間?？v觀國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，當(dāng)前取得了何種成績？未來空間幾何？產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)又有哪些公司走在前列？

國產(chǎn)碳化硅進(jìn)擊8英寸

相比于傳統(tǒng)的硅基功率器件，碳化硅功率器件具備耐高壓、耐高溫、高頻化等特性，可以令整車能耗更低、尺寸更小、行駛里程更長，一定程度上緩解新能源車?yán)锍探箲]問題。

從產(chǎn)業(yè)鏈來看，SiC產(chǎn)業(yè)鏈條較長，涉及襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、器件制造和封測等一系列環(huán)節(jié)，其中，碳化硅襯底和外延片的價(jià)值量占比超過一半，襯底成本最大，占比達(dá)47%；其次是外延成本占比為23%，成為決定碳化硅器件品質(zhì)的關(guān)鍵。

因此，襯底也成了國產(chǎn)廠商的必爭之地，也是國內(nèi)產(chǎn)業(yè)與海外差距最小的細(xì)分領(lǐng)域。

一方面，大尺寸是碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向，6英寸碳化硅晶片仍是市場主流產(chǎn)品，8英寸襯底正在成為行業(yè)重要的技術(shù)演化方向。

從技術(shù)進(jìn)展來看，Wolfspeed、ROHM、英飛凌、ST等國際碳化硅大廠已經(jīng)紛紛邁入8英寸，并將量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)提前到今年。國產(chǎn)碳化硅廠商基本以6英寸碳化硅晶圓為主，總體處于向6英寸加速實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)、8英寸布局研發(fā)的階段，并逐漸退出4英寸市場。

另一方面，進(jìn)軍8英寸襯底也被視為降低成本的關(guān)鍵之舉。

從碳化硅器件層面看，當(dāng)前成本仍高于傳統(tǒng)硅器件3到5倍。特別是今年3月份碳化硅旗手特斯拉倒戈，喊話未來減少75%碳化硅用量，被視為施壓供應(yīng)商意法半導(dǎo)體降低成本之舉。

而相對于6英寸，8英寸的面積增加了78%左右，由于邊緣損耗減少，同等條件下從8英寸襯底切出的芯片數(shù)會(huì)提升將近90%，因此，尺寸越大晶片的利用面積也越大。從產(chǎn)品使用效率上看，目前6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，換言之，8英寸制造將會(huì)在很大程度上降低碳化硅的應(yīng)用成本。