GS2M1000170D
SiC MOSFET 型號GS2M1000170D ,V（ds）=1700V，導通電阻R（dson）=650mΩ，I（ds）=5.0A，主要應用于光伏儲能、電動汽車、工業(yè)控制、軌道交通、智能電網(wǎng)等領域。
產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品描述
產(chǎn)品特點
產(chǎn)品優(yōu)勢
產(chǎn)品應用
產(chǎn)品描述
SiC MOSFET 型號GS2M1000170D ,V（ds）=1700V，導通電阻R（dson）=650mΩ，I（ds）=5.0A，主要應用于光伏儲能、電動汽車、工業(yè)控制、軌道交通、智能電網(wǎng)等領域。
產(chǎn)品特點
1
耐高壓，低導通電阻
2
高速開關，低電容
3
高速開關，低電容
4
符合RoHS標準
產(chǎn)品優(yōu)勢
1
更低損耗
2
更高可靠性
3
更高結溫
4
提高系統(tǒng)功率密度
應用領域
