GS2M1000170J
SiC MOSFET 型號GS2M1000170J ,V（ds）=1700V，導(dǎo)通電阻R（dson）=650mΩ，I（ds）=5A ，TO-63-7封裝，主要應(yīng)用于光伏儲能、電動汽車、工業(yè)控制、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。
產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品描述
產(chǎn)品特點
產(chǎn)品優(yōu)勢
產(chǎn)品應(yīng)用
產(chǎn)品描述
SiC MOSFET 型號GS2M1000170J ,V（ds）=1700V，導(dǎo)通電阻R（dson）=650mΩ，I（ds）=5A ，TO-63-7封裝，主要應(yīng)用于光伏儲能、電動汽車、工業(yè)控制、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。
產(chǎn)品特點
1
耐高壓，低導(dǎo)通電阻
2
高速開關(guān)，低電容
3
易于并聯(lián)，驅(qū)動簡單
4
符合RoHS標準
產(chǎn)品優(yōu)勢
1
更低損耗
2
更高可靠性
3
更高結(jié)溫
4
提高系統(tǒng)功率密度
5
降低冷卻要求
應(yīng)用領(lǐng)域
