GS2M0080120D
SiC MOSFET 型號(hào)GS3M0080120D ,V（ds）=1200V，導(dǎo)通電阻R（dson）=72mΩ，I（ds）=30A ，TO-247-3封裝，主要應(yīng)用于光伏儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車、工業(yè)控制、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。
產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品描述
產(chǎn)品特點(diǎn)
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
產(chǎn)品應(yīng)用
產(chǎn)品描述
SiC MOSFET 型號(hào)GS3M0080120D ,V（ds）=1200V，導(dǎo)通電阻R（dson）=72mΩ，I（ds）=30A ，TO-247-3封裝，主要應(yīng)用于光伏儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車、工業(yè)控制、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。
產(chǎn)品特點(diǎn)
1
耐高壓，低導(dǎo)通電阻
2
高速開關(guān)，低電容
3
易于并聯(lián)，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單
4
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
1
更低損耗
2
更高可靠性
3
更高結(jié)溫
4
提高系統(tǒng)功率密度
5
降低冷卻要求
應(yīng)用領(lǐng)域
